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J-GLOBAL ID：200903061766945524

レーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器

Inventor： 山崎 豊
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (2)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006101667
Publication number (International publication number)：2007275902
Application date： Apr. 03, 2006
Publication date： Oct. 25, 2007
Summary：

【課題】チッピングの発生を抑えることができるレーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器を提供することにある。【解決手段】第1基板11の第1及び第2の面S1,S2の互いに対向する位置から第1基板11の深さ方向に、第1基板11の断面視において、第1基板11の深さ方向に頂部を有するV字型の改質層R1,R3と、それぞれのV字型の改質層R1,R3の頂部を結ぶ略直線状の改質層R2とを形成するように、第1基板11に向けてレーザ光44を照射する照射工程(図4(a)〜(c))と、第1基板11に外力を与えて、第1基板11を切断する切断工程(図4(d))とを有する。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

基板に形成された機能部の分割されるべき切断予定ラインに沿ってレーザ光を照射して 、当該基板の内部に改質層を形成した後に、当該改質層を起点に前記基板を切断して、前 記機能部ごとに分割するレーザスクライブ方法であって、 前記基板の両面の互いに対向する位置から前記基板の深さ方向に、前記基板の断面視に おいて、前記基板の深さ方向に頂部を有するV字型の改質層と、それぞれの前記V字型の 改質層の前記頂部を結ぶ略直線状の改質層と、を形成するように、前記基板に向けて前記 レーザ光を照射する照射工程と、 前記基板に外力を与えて、前記基板を切断する切断工程と、を有することを特徴とする レーザスクライブ方法。

IPC (3)：

B23K 26/38 ,  B23K 26/00 ,  G02F 1/133

FI (3)：

B23K26/38 ,  B23K26/00 H ,  G02F1/1333 500

F-Term (13)：

2H090JA01 ,  2H090JA11 ,  2H090JA13 ,  2H090JB02 ,  2H090JC06 ,  2H090JC14 ,  2H090JD13 ,  2H090JD15 ,  4E068AA01 ,  4E068AE01 ,  4E068CD01 ,  4E068DA09 ,  4E068DB13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• レーザ加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-277163   Applicant：浜松ホトニクス株式会社