Pat

J-GLOBAL ID：200903061768532260

強誘電体キャパシタおよびその製造方法並びにそれを用いたメモリセル

Inventor： 渡部 浩司 ,  田中 均洋
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997184147
Publication number (International publication number)：1999026706
Application date： Jul. 09, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 優れた強誘電特性を保持しつつ結晶粒子の大きさを小さくすることにより、素子の小型化を図ることができる強誘電体キャパシタおよび製造方法を提供する。【解決手段】 基板11の上に下部電極14,強誘電体膜15および上部電極を形成する。強誘電体膜15は、多結晶の層状結晶構造酸化物(Bix (Sr,Ca,Ba)y (Ta,Nb)2 O9 ±d )を含む複数の層15a,15b,15cに分けて積層する。その際、各層15a,15b,15cのうちの少なくとも1層について(Sr,Ca,Ba)の組成比yを他の層と異なった値とする。すなわち、強誘電体膜15において(Sr,Ca,Ba)の組成比yが変化するようにする。これにより、優れた強誘電特性が得られると共に、層状結晶構造酸化物の結晶粒子の大きさが小さくなる。

Claim (excerpt)：

強誘電体膜に一対の電極を接続した強誘電体キャパシタであって、前記強誘電体膜は、ビスマス(Bi)と、第1の元素としてのストロンチウム(Sr),カルシウム(Ca)およびバリウム(Ba)からなる群のうちの少なくとも1種と、第2の元素としてのタンタル(Ta)およびニオブ(Nb)からなる群のうち少なくとも1種と、酸素(O)とからなる多結晶の層状結晶構造酸化物を含むと共に、この層状結晶構造酸化物は組成式がBix (Sr,Ca,Ba)y (Ta,Nb)2 O9 ±d (但し、1.70≦x≦2.50,0.60≦y≦1.20,0≦d≦1.00)であり、かつ前記強誘電体膜において第1の元素の組成比に変化を有することを特徴とする強誘電体キャパシタ。

IPC (9)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/316

FI (5)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371