Pat
J-GLOBAL ID：200903061771889497
加速度センサ及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995035514
Publication number (International publication number)：1996236785
Application date： Feb. 23, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：
【要約】【目的】 高感度な加速度センサを提供することにある。【構成】 p型単結晶シリコン基板2の表面には、薄膜Mが積層されている。薄膜Mの一部には、マス部6と片持ち梁7とからなるカンチレバー構造部が形成されている。片持ち梁7の一部には、歪みゲージ10が形成されている。薄膜Mは、多孔質酸化シリコン層3とその上に積層されたn型単結晶シリコンのエピタキシャル成長層4とからなる。カンチレバー構造部は、エピタキシャル成長層4に形成されている。マス部6及び片持ち梁7の外周部及び下部には、空隙8が形成されている。
Claim (excerpt)：
p型単結晶シリコン基板(2)の表面に積層された薄膜(M)の一部にマス部(6)と梁(7)とからなるカンチレバー構造部が形成され、その梁(7)の一部に歪みゲージ(10)が形成された加速度センサ(1)であって、前記薄膜(M)は、多孔質酸化シリコン層(3)とその上に積層されたn型単結晶シリコンのエピタキシャル成長層(4)とからなり、前記カンチレバー構造部は、前記エピタキシャル成長層(4)に形成されている加速度センサ。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 29/84 A
, G01P 15/12
