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J-GLOBAL ID：200903061777748070

パターン形成方法

Inventor： 仁木 博一 ,  大西 廉伸 ,  早瀬 留美子 ,  親里 直彦 ,  小林 嘉仁 ,  佐藤 一夫 ,  宮村 雅隆 ,  熊谷 明敏
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992244714
Publication number (International publication number)：1993216244
Application date： Sep. 14, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】紫外線、電離放射線等の波長の短い放射線を用いたリソグラフィに適用でき、難溶化層に起因する庇を生じることなく、断面が矩形状で微細なパターンを形成する。【構成】化学放射線の照射により酸を発生し得る化合物と酸により分解し得る結合を少なくとも1つ有する化合物とを含有した感放射線組成物を主成分とする感放射線層を、基板上に形成する工程と、前記感放射線層上に酸性の被覆層を形成する工程と、前記感放射線層および酸性の被覆層に化学放射線をパターン照射する工程と、前記感放射線層および酸性の被覆層を現像処理する工程とを具備したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

化学放射線の照射により酸を発生し得る化合物と酸により分解し得る結合を少なくとも1つ有する化合物とを含有した感放射線組成物を主成分とする感放射線層を、基板上に形成する工程と、前記感放射線層上に酸性の被覆層を形成する工程と、前記感放射線層および酸性の被覆層に化学放射線をパターン照射する工程と、前記感放射線層および酸性の被覆層を現像処理する工程とを具備したことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3)：

G03F 7/38 501 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-287950
  
• 特開昭60-095430
  
• 特開昭60-263141