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J-GLOBAL ID:200903061782493250
セラミックス絶縁基板
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
福井 豊明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993318669
Publication number (International publication number):1995176839
Application date: Dec. 17, 1993
Publication date: Jul. 14, 1995
Summary:
【要約】【目的】 パワー半導体モジュールに適用されるセラミックス絶縁基板に関し、耐熱サイクル性に優れ、亀裂及び「反り」の発生を同時に抑制することのできるセラミックス絶縁基板を提供することを目的とする。【構成】 例えば窒化アルミニウム質材料か、又はアルミナ質材料で構成されたセラミックス基材1の表裏面に、所定パターンの電子回路を構成する回路側銅板2と、該回路側銅板2で発生した熱を放散させるシンク側銅板3とが各々接合されてなるセラミックス絶縁基板において、上記シンク側銅板3のジルコニウム含有量を0.01重量%以上とする一方、上記回路側銅板2のジルコニウム含有量を0.01重量%未満とした構成とする。
Claim (excerpt):
セラミックス基材(1) の表裏面に、所定パターンの電子回路を構成する回路側銅板(2) と、該回路側銅板(2) で発生した熱を放散させるシンク側銅板(3) とが各々接合されてなるセラミックス絶縁基板において、上記シンク側銅板(3) のジルコニウム含有量を0.01重量%以上とする一方、上記回路側銅板(2) のジルコニウム含有量を0.01重量%未満としたセラミックス絶縁基板。
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