Pat
J-GLOBAL ID:200903061791183191

トランジスタを基礎とした装置および分子検出および電界増強のための方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 池内 義明
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1998510788
Publication number (International publication number):1999514748
Application date: Aug. 07, 1997
Publication date: Dec. 14, 1999
Summary:
【要約】結合サイトに位置するゲート14を有するトランジスタ10を使用して分子24の分子レセプタ22への結合が検知される。トランジスタ10のチャネル20のコンダクタンスが分子24が分子レセプタ22と結合したときに分子24に関連する電荷によって変更される。結果として生じるトランジスタ10の変更された電気的特性が検知されて結合事象を検知する。電圧をゲート14に印加することにより電界増強が与えられる。第2の検知用トランジスタを前記検知用トランジスタに結合して差動対を形成することができる。該差動対は差動的結合事象の増強および検知を可能にする。
Claim (excerpt):
分子検出装置における結合サイトにおいて分子レセプタとの分子の結合を検知する方法であって、 ゲート、ソース、ドレイン、および前記ソースをドレインに電気的に結合する半導電チャネルを有する第1の検知用トランジスタを提供する段階であって、前記ゲートは前記結合サイトに位置し前記ソースとドレインとの間のコンダクタンスが前記分子が前記分子レセプタに結合したとき前記分子に関連する電荷によって変更されるもの、そして 前記分子が前記分子レセプタと結合したとき前記分子に関連する電荷から生じる前記第1の検知用トランジスタの変更された電気的特性を検知する段階、 を具備する分子検出装置において結合サイトにおける分子レセプタとの分子の結合を検知する方法。
IPC (6):
G01N 27/414 ,  C12N 15/09 ,  C12Q 1/68 ,  G01N 27/00 ,  G01N 27/327 ,  G01N 33/543 593
FI (7):
G01N 27/30 301 Y ,  C12Q 1/68 A ,  G01N 27/00 J ,  G01N 33/543 593 ,  G01N 27/30 301 N ,  G01N 27/30 351 ,  C12N 15/00 A

Return to Previous Page