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J-GLOBAL ID：200903061793405655

キセノンを用いたプラズマエッチング

Inventor： スティーヴン マック ,  ブライアン シア ,  チャールズ ステファン ローデス
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994134508
Publication number (International publication number)：1995058079
Application date： Jun. 16, 1994
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、エッチング速度が高く、基板対レジストのエッチング選択率が高く、微小充填性を低減した異方性エッチング処理方法を提供する事を目的とする。【構成】 結晶粒界を有しレジストを塗布した基板をチャンバー内のエッチング領域に置き、1次エッチャント、2次エッチャント及びキセノンを備えたプロセスガスをエッチング領域に導入する。プラズマをエッチング領域に発生してプロセスガスをエッチングガスに変え、エッチング速度が高く、基板対レジストのエッチング選択率が高く、微小充填性を低減した異方性エッチング処理を実現した。好適には、この1次エッチャントはCl2 を備え、2次エッチャントはBCl3 を備える。

Claim (excerpt)：

結晶粒界を有しレジストをその上に有する基板を選択的にエッチングする方法であって、(a)エッチング領域内に基板を置くステップと、(b)(i)塩素、弗素及び臭素から成る群より選択される1次エッチャントと(ii)上記基板の結晶粒界のエッチングに適する2次エッチャントと(iii)キセノンとを備える酸素非含有のプロセスガスを上記エッチング領域内に導入するステップと、(c)実質的に酸素非含有であるプラズマを上記エッチング領域に発生させ上記プロセスガスよりエッチングガスを生じ、上記エッチングガスが上記基板を選択的にエッチングするステップと、を備えるエッチング方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-284628
  
• 特開平3-034318
  
• 特開平4-288827