Pat
J-GLOBAL ID：200903061802124516
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
有吉 教晴 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001396015
Publication number (International publication number)：2003197567
Application date： Dec. 27, 2001
Publication date： Jul. 11, 2003
Summary：
【要約】【課題】 ダイシング加工の際に生じるダストに因るダストトラブルを改善すると共にチッピングにより生じたウェーハの破片がチップ表面にキズを付けることによるチップ不良を改善し、歩留りの向上を図ることが可能である半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 貼り合わせ工程、バックグラインド工程、ダイシング工程、ダイボンド工程及び剥離工程とを備える半導体装置の製造方法において、剥離工程をダイボンド工程の後工程とする。
Claim (excerpt)：
ウェーハの回路面側に表面保護テープを貼り合わせる貼り合わせ工程と、表面保護テープを貼り合わせたウェーハのバックグラインド加工を行うバックグラインド工程と、バックグラインド加工を行ったウェーハのダイシング加工を行うダイシング工程と、ダイシング加工を行ったウェーハのダイボンド加工を行うダイボンド工程と、前記貼り合わせ工程によってウェーハに貼り合わせた表面保護テープを剥離する剥離工程とを備える半導体装置の製造方法において、前記剥離工程は、前記ダイシング工程の後工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/301
, H01L 21/304 631
H01L 21/304 631
, H01L 21/78 Q
