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J-GLOBAL ID：200903061803591576

絶縁膜形成材料、絶縁膜形成方法及び半導体装置

Inventor： 山口 城 ,  福山 俊一 ,  中田 義弘 ,  鈴木 克己
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999150102
Publication number (International publication number)：2000340557
Application date： May. 28, 1999
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 多層配線構造を有する半導体装置において低い誘電率を有していて信頼性の高い絶縁膜の形成に有用な材料を提供すること。【解決手段】 次式(I)の繰り返し単位を含むシラザン型重合体:【化1】(式中、R1、R2及びR3は、水素、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、但し、少なくとも1個は水素原子であり、そしてnは正の整数である)、及び次式(II)のシリコン化合物:【化2】(式中、R1、R2、R3及びR4は、水素、アルコキシ基、水酸基又は複素環式炭化水素基を表し、但し、少なくとも1個〜3個は複素環式炭化水素基である)の反応生成物を含んでなるように構成する。

Claim (excerpt)：

次式(I)により表される繰り返し単位を含むシラザン型重合体:【化1】(上式において、R1、R2及びR3は、互いに同一もしくは異なっていてもよく、それぞれ、水素原子を表すかもしくは置換もしくは非置換の、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、但し、置換基R1、R2及びR3のうちの少なくとも1個は水素原子であり、そしてnは、当該シラザン型重合体が100〜50,000の数平均分子量を有するのに必要な繰り返し単位の数である)、及び次式(II)により表される、分子構造内に立体的な空隙を有するシリコン化合物:【化2】(上式において、R1、R2、R3及びR4は、互いに同一もしくは異なっていてもよく、それぞれ、水素原子、置換もしくは非置換のアルコキシ基、水酸基及び脂環式炭化水素基からなる群から選ばれた一員を表し、但し、置換基R1、R2、R3及びR4のうちの1員〜3員はアダマンチル環含有基でありかつ、R1、R2、R3及びR4のうちの3員が脂環式炭化水素基である場合、残りの一員はアルコキシ基又は水酸基である)の反応生成物を含んでなることを特徴とする絶縁膜形成材料。

IPC (4)：

H01L 21/312 ,  C07F 7/04 ,  C08G 77/62 ,  C08L 83/16

FI (5)：

H01L 21/312 C ,  H01L 21/312 N ,  C07F 7/04 E ,  C08G 77/62 ,  C08L 83/16

F-Term (34)：

4H049VN01 ,  4H049VP01 ,  4H049VQ05 ,  4H049VQ06 ,  4H049VQ16 ,  4H049VQ20 ,  4H049VQ21 ,  4H049VR10 ,  4H049VR20 ,  4H049VR23 ,  4H049VR40 ,  4H049VR41 ,  4H049VU20 ,  4H049VU21 ,  4H049VU24 ,  4H049VW02 ,  4J002CP211 ,  4J002EX036 ,  4J002EX046 ,  4J002GQ01 ,  4J002GQ05 ,  4J035BA02 ,  4J035CA022 ,  4J035CA142 ,  4J035HA03 ,  4J035LA03 ,  4J035LB20 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC04 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02