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J-GLOBAL ID：200903061811296400
HBT型化合物半導体装置とその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994048876
Publication number (International publication number)：1995263460
Application date： Mar. 18, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：
【要約】【目的】 エミッタとベースが異なる材料で形成されるヘテロバイポーラドランジスタ型の化合物半導体装置に関し、実質的に電流が流れる部分において、pn接合を露出させないヘテロバイポーラトランジスタの製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板上に、コレクタ層、ベース層、ベース層と異なる材料のエミッタ層を含む化合物半導体積層をエピタキシャルに成長する工程と、前記エミッタ層の一部を、前記ベース層に近い側の一部厚さを残すように、除去する工程と、前記エミッタ層の側壁上に保護膜を形成する工程と、前記ベース層に近い側に残された一部厚さのエミッタ層上に、ベース層と同一導電型でより高不純物濃度の化合物半導体の外部ベース付加層を再成長する工程と、前記ベース付加層の表面に金属あるいは絶縁物の層を形成する工程と、前記外部ベース付加層中の不純物をその下の一部厚さのエミッタ層およびベース層中へ拡散させ、一部厚さのエミッタ層の導電型を反転させる工程とを含む。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、コレクタ層、ベース層、ベース層と異なる材料のエミッタ層を含む化合物半導体積層をエピタキシャルに成長する工程と、前記エミッタ層の一部を、前記ベース層に近い側の一部厚さを残すように、除去する工程と、前記エミッタ層の側壁上に保護膜を形成する工程と、前記ベース層に近い側に残された一部厚さのエミッタ層上に、ベース層と同一導電型でより高不純物濃度の化合物半導体の外部ベース付加層を再成長する工程と、前記ベース付加層の表面に金属あるいは絶縁物の層を形成する工程と、前記外部ベース付加層中の不純物をその下の一部厚さのエミッタ層およびベース層中へ拡散させ、一部厚さのエミッタ層の導電型を反転させる工程とを含むヘテロバイポーラトランジスタ型化合物半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
