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J-GLOBAL ID：200903061811584236
半導体装置およびこれを用いた周波数逓倍回路
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大胡 典夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999183959
Publication number (International publication number)：2001016041
Application date： Jun. 29, 1999
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：
【要約】【課題】 不要な周波数成分を取り除くことができる半導体装置を提供すること。【解決手段】 複数の電極G、D、Sを有するFET13と、このFET13のソース電極Sに接続されたバイアス回路とを具備した半導体装置において、バイアス回路が、一端が接地された2つのキャパシタC1、C2と、この2つのキャパシタC1、C2の他端間に接続された伝送線路15と、ソース電極Sから遠い側に位置するキャパシタC2の他端と接地GNDとの間に接続された抵抗16とで構成されている。
Claim (excerpt)：
複数の電極を有する能動素子と、この能動素子の1つの電極にバイアス電圧を印加するバイアス回路とを具備した半導体装置において、前記バイアス回路が、一端が接地された2つのキャパシタと、この2つのキャパシタの他端間に接続された伝送線路と、前記1つの電極から遠い側に位置するキャパシタの他端と接地との間に接続された抵抗とで構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
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トランジスタ増幅回路
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-070297
Applicant：株式会社ヨコオ
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特公昭44-025137
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特開昭60-165814
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