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J-GLOBAL ID：200903061818232807

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド

Inventor： 行徳 明 ,  古賀 直樹 ,  冨安 弘
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994003937
Publication number (International publication number)：1995210828
Application date： Jan. 19, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 縦バイアス層である硬磁性膜の保磁力を高め、永続してバイアス磁界を供給できるので磁区制御を安定して行うことができ、バルクハウゼンノイズの低減を達成できる高性能で信頼性の高いMR効果型薄膜磁気ヘッドの提供を目的とする。【構成】 下部シールド層3と上部シールド層11との間に横バイアス層5,磁気抵抗効果層7,硬磁性層8,リード層9等を有する再生感知部を備えた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドであって、硬磁性層8が強磁性膜と非磁性膜が交互に積層された3層以上の多層構造を有する硬磁性層8である構成を有している。

Claim (excerpt)：

下部シールド層と上部シールド層との間に横バイアス層,磁気抵抗効果層,硬磁性層,リード層等を有する再生感知部を備えた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドであって、前記硬磁性層が強磁性膜と非磁性膜が交互に積層された3層以上の多層構造を有することを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。