高結晶性メソポーラスシリカ薄膜及びその製造方法、並びにそのメソポーラスシリカ薄膜を用いたクラスター包接薄膜及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：長谷川芳樹 , 塩田辰也 , 寺崎史朗 , 長濱範明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002264694
Publication number (International publication number)：2004099384
Application date： Sep. 10, 2002
Publication date： Apr. 02, 2004
Summary：

【課題】十分な結晶性を有し、細孔の表面の平滑性及び細孔の配向性に優れたメソポーラスシリカ薄膜及びその製造方法を提供し、さらにそのメソポーラスシリカ薄膜を用いたクラスター包接薄膜及びその製造方法を提供すること。【解決手段】膜厚が1μm以下であり、かつ中心細孔直径が1〜50nmであるメソポーラスシリカ薄膜であって、前記メソポーラスシリカ薄膜のX線回折測定における(100)面を示すピークの強度が50000cps以上であり、かつ前記ピークの半値幅が0.21°以下であることを特徴とする高結晶性メソポーラスシリカ薄膜及びその製造方法、並びにそのメソポーラスシリカ薄膜を用いたクラスター包接薄膜及びその製造方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

膜厚が1μm以下であり、かつ中心細孔直径が1〜50nmであるメソポーラスシリカ薄膜であって、前記メソポーラスシリカ薄膜のX線回折測定における(100)面を示すピークの強度が50000cps以上であり、かつ前記ピークの半値幅が0.21°以下であることを特徴とする高結晶性メソポーラスシリカ薄膜。

IPC (2)：

C01B37/02 , B01J19/00

FI (2)：

C01B37/02 , B01J19/00 K

F-Term (41)：

4G066AA14D , 4G066AA22B , 4G066AB18A , 4G066BA03 , 4G066BA20 , 4G066BA31 , 4G066FA03 , 4G066FA07 , 4G066FA22 , 4G066FA33 , 4G066FA34 , 4G073BA36 , 4G073BA37 , 4G073BA40 , 4G073BA41 , 4G073BA44 , 4G073BA45 , 4G073BA46 , 4G073BA48 , 4G073BA49 , 4G073BA50 , 4G073BA63 , 4G073BB66 , 4G073BC02 , 4G073BD18 , 4G073BD22 , 4G073CZ54 , 4G073FB41 , 4G073FC23 , 4G073GA03 , 4G073GA08 , 4G073UA01 , 4G073UA06 , 4G075AA24 , 4G075AA30 , 4G075BD16 , 4G075CA02 , 4G075CA57 , 4G075FA14 , 4G075FB04 , 4G075FC09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

高結晶性シリカメソ多孔体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-309625 Applicant：財団法人化学技術戦略推進機構

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