Pat

J-GLOBAL ID：200903061818633321

半導体装置

Inventor： 斉藤 明弘
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (1)： 佐藤 正年 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994268073
Publication number (International publication number)：1996111459
Application date： Oct. 07, 1994
Publication date： Apr. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置において、互いに隣接して形成された一対の金属配線間に発生する静電結合(寄生容量)による両配線間のクロストークを防止する。【構成】 半導体基板上に互いに隣接して形成された一対の金属配線と、これら金属配線の表面を絶縁層を介して一体に被覆する金属層とを備える。金属配線間の静電結合を遮蔽するように各金属配線が個々に金属層によって被覆されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に互いに隣接して形成された一対の金属配線と、これら金属配線の表面を絶縁層を介して一体に被覆する金属層とを備えた半導体装置において、前記金属配線間の静電結合を遮蔽するように各金属配線が個々に前記金属層によって被覆されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3)：

H01L 21/90 V ,  H01L 21/88 S ,  H01L 27/04 D