平坦な半極性窒化ガリウムの成長技術

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：清水守
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008500965
Publication number (International publication number)：2008533723
Application date： Mar. 10, 2006
Publication date： Aug. 21, 2008
Summary：

平坦な半極性窒化物薄膜の大面積が基板の表面に平行であるような、ミスカットスピネル基板上への平坦な半極性窒化物薄膜の成長方法。平坦な薄膜と基板は(1)特定の方向にミスカットした{100}スピネル基板上に成長した{10-11}窒化ガリウム (GaN)、(2){110}スピネル基板上に成長した{10-13}窒化ガリウム (GaN)、(3){1-100}サファイヤ基板上に成長した{11-22}窒化ガリウム (GaN)、および(4){1-100}サファイヤ基板上に成長した{10-13}窒化ガリウム (GaN)である。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

窒化薄膜を成長する方法であって、基板上に平坦な半極性窒化物薄膜を成長する工程を備えており、前記平坦な半極性窒化物薄膜が前記基板表面に平行に成長することを特徴とする、窒化物薄膜を成長する方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (2)：

H01L21/205 , H01L33/00 C

F-Term (16)：

5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F045AA03 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AD14 , 5F045AE23 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB16 , 5F045CA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開平2-211620
半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-014946 Applicant：三洋電機株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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