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J-GLOBAL ID：200903061863583742

ZnO系酸化物半導体層を有する半導体装置の製法

Inventor： 岩田 拡也 ,  ポール・フォンス ,  松原 浩司 ,  山田 昭政 ,  仁木 栄 ,  中原 健
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  ローム株式会社
Agent (2)： 河村 洌 ,  河村 洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000278043
Publication number (International publication number)：2002093822
Application date： Sep. 13, 2000
Publication date： Mar. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】 半導体層成長後の基板温度を下げる間の雰囲気や熱膨張係数の差に基づくエピタキシャル成長層への転移や結晶欠陥の発生を抑制して、結晶性の優れた高品質のZnO系酸化物半導体層を有する半導体装置の製法を提供する。【解決手段】 ZnO系酸化物半導体と異なる材質の基板上に、ZnO系酸化物半導体層をヘテロエピタキシャル成長する場合に、500°C以上の高温で前記ZnO系酸化物半導体層を成長し、ZnO系酸化物半導体層の成長終了後に、酸素の供給を止め、かつ、基板温度を350°C以下まで徐冷することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

ZnO系酸化物半導体と異なる熱膨張係数を有する基板上に、ZnO系酸化物半導体層をヘテロエピタキシャル成長する半導体装置の製法であって、500°C以上の高温で前記ZnO系酸化物半導体層を成長し、ZnO系酸化物半導体層の成長終了後に、酸素の供給を止め、かつ、基板温度を350°C以下まで徐冷することを特徴とするZnO系酸化物半導体層を有する半導体装置の製法。

IPC (3)：

H01L 21/365 ,  C30B 29/16 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/365 ,  C30B 29/16 ,  H01L 33/00 D

F-Term (25)：

4G077AA03 ,  4G077BB07 ,  4G077DA05 ,  4G077FE13 ,  4G077HA02 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA66 ,  5F041CA88 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB22 ,  5F045AC11 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045EE18 ,  5F045EK28 ,  5F045HA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-351051   Applicant：スタンレー電気株式会社
• 薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-217101   Applicant：ミノルタ株式会社
• ZnO結晶の成長方法、ZnO結晶構造及びそれを用いた半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-245220   Applicant：スタンレー電気株式会社, 八百隆文