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J-GLOBAL ID：200903061868875199

半導体発光装置

Inventor：
下山 謙司

About 下山 謙司

, 
清見 和正

About 清見 和正


Applicant, Patent owner：
三菱化学株式会社

About 三菱化学株式会社


Agent (1)： 釜田 淳爾 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999199141
Publication number (International publication number)：2001024276
Application date： Jul. 13, 1999
Publication date： Jan. 26, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 高出力においてもCODすることなく、かつキンクレベルが高い高性能な半導体発光装置を提供すること。【解決手段】 基板101、該基板上に形成された第1導電型光ガイド層103、前記光ガイド層上であって端面近傍を除く部分に形成された活性層104、前記活性層上に形成された第2導電型第1クラッド層105、前記第2導電型第1クラッド層上に形成された開口部を有する電流ブロック層109、前記開口部上の少なくとも一部に形成された第2導電型第2クラッド層111を有し、前記開口部を有する電流ブロック層109は前記光ガイド層上の端面近傍部分に伸長していてもよいが前記開口部は両端面にまでは達しないことを特徴とする半導体発光装置。
Claim (excerpt)：
基板、該基板上に形成された第1導電型光ガイド層、前記光ガイド層上であって端面近傍を除く部分に形成された活性層、前記活性層上に形成された第2導電型第1クラッド層、前記第2導電型第1クラッド層上に形成された開口部を有する電流ブロック層、前記開口部上の少なくとも一部に形成された第2導電型第2クラッド層を有し、前記開口部を有する電流ブロック層は前記光ガイド層上の端面近傍部分に伸長していてもよいが前記開口部は両端面にまでは達しないことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2)：
H01S 5/16 ,  H01S 5/22
FI (2)：
H01S 5/16 ,  H01S 5/22
F-Term (14)：
5F073AA44 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA88 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB10 ,  5F073CB11 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073EA16 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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