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J-GLOBAL ID：200903061874533771

半導体レーザ装置

Inventor： 中山 毅
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 大岩 増雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995106684
Publication number (International publication number)：1996307003
Application date： Apr. 28, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザ装置のクラッド層の結晶の劣化を防止し、垂直放射角の拡がりを抑制する。【構成】 第2クラッド層14を、GaAsよりも格子定数の大きいp-AlGaAs層15とGaAsよりも格子定数の小さいp-InGaAsP層16とを交互に積層した超格子構造とし、GaAs基板1に格子整合することにより、結晶の劣化を防止でき、クラッド層の厚さを十分に厚くすることができる。その結果、GaAsコンタクト層10への光のしみ出しを防止し、垂直放射角の拡がりを抑制できる。また、リッジ上部または下部のGaAs層を除去することにより、垂直放射角の拡がりを抑制することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された第1クラッド層、この第1クラッド層上に形成された活性層、この活性層上に形成され、中央部にリッジ部を備えた第2クラッド層、上記リッジ部の周囲に形成された電流ブロック層、上記リッジ部および上記電流ブロック層上に形成されたキャップ層、上記半導体基板および上記キャップ層にそれぞれ接合された電極を備え、上記第1クラッド層および上記第2クラッド層のいずれか一方または両方が、それぞれ上記半導体基板および上記キャップ層に対して格子整合する超格子層よりなることを特徴とする半導体レーザ装置。