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J-GLOBAL ID:200903061875090792
光起電力装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
目次 誠 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000268199
Publication number (International publication number):2002076409
Application date: Sep. 05, 2000
Publication date: Mar. 15, 2002
Summary:
【要約】【課題】 互いに逆導電型の関係を有する結晶系半導体基板11と非晶質半導体膜14の接合部に、薄膜の真性非晶質半導体膜12,13が挿入された光起電力装置において、接合部における光生成キャリアの再結合を低減し、光電変換効率を向上させる。【解決手段】 真性非晶質半導体膜12,13の光学的バンドギャップが、非晶質半導体膜14と接する側において広くなっていることを特徴としている。
Claim (excerpt):
互いに逆導電型の関係を有する結晶系半導体基板と非晶質半導体膜の接合部に、薄膜の真性非晶質半導体膜が挿入された光起電力装置であって、前記真性非晶質半導体膜の光学的バンドギャップが前記非晶質半導体膜と接する側において広くなっていることを特徴とする光起電力装置。
FI (2):
H01L 31/04 B
, H01L 31/04 A
F-Term (6):
5F051AA02
, 5F051AA05
, 5F051CA03
, 5F051DA04
, 5F051DA11
, 5F051GA04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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光起電力装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-105002
Applicant:三洋電機株式会社
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光起電力装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-105001
Applicant:三洋電機株式会社
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特開平2-260664
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特開平4-286167
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半導体装置とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-221178
Applicant:キヤノン株式会社
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特開昭59-075682
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光起電力素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-325715
Applicant:三洋電機株式会社
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