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J-GLOBAL ID：200903061885635460

半導体受光素子ならびに半導体受光素子アレイおよび画像処理装置ならびに画像処理方法

Inventor： 原 邦彦 ,  豊田 孝 ,  船津 英一 ,  太田 淳 ,  追田 真也 ,  新田 嘉一 ,  三宅 康也
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994094975
Publication number (International publication number)：1995302928
Application date： May. 09, 1994
Publication date： Nov. 14, 1995
Summary：

【要約】半導体受光素子ならびに半導体受光素子アレイおよび画像処理装置ならびに画像処理方法【目的】本発明は、画像検出ならびに種々の画像処理を高速にかつ小型な装置で実現することを目的とする。【構成】本発明では、光を送出する発光素子、受光素子と読みだし用トランジスタを2次元状に配置した受光素子アレイ、感度を制御するための制御回路、ならびに出力回路から構成され、各行のトランジスタのゲート端子には同じ電圧が制御回路から供給され、トランジスタのドレイン、ソース電流は列毎に合計され出力回路で検出される。物体までの距離を検出するときは、自ら送出した光の反射をトランジスタオンのまま電荷の蓄積なしに検出する。一方、物体の形状を検出するときには、トランジスタをオフにして物体からの光を受光し、光電荷を一定時間蓄積した後、蓄積電荷を順次読み出す。

Claim (excerpt)：

光を吸収し、正から負にわたる制御電圧に応じた光電流を出力する半導体受光素子において、上記制御電圧が一定の値以下の時は、半導体受光素子からの出力電流を抑制する手段を備えたことを特徴とする半導体受光素子。

IPC (5)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/108 ,  H01L 33/00 ,  H04N 1/19

FI (4)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 C ,  H04N 1/04 103 Z