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J-GLOBAL ID:200903061888866358
パターン形成方法、光学素子の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
増田 達哉 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998352996
Publication number (International publication number):2000181086
Application date: Dec. 11, 1998
Publication date: Jun. 30, 2000
Summary:
【要約】【課題】簡略化された工程により優れた形状精度で微細パターンを形成可能なパターン形成方法およびこれを用いた光学素子の製造方法を提供する。【解決手段】レジスト層13にリソグラフ法によりパターンを形成するパターン形成方法であって、レジスト層13に対し相対的にマスク11を移動させて露光していくことによりレジストパターン13aを形成することを特徴とする。マスク11を露光光の進行方向と直交する方向に移動させることが好ましく、レジストパターン13aを光学素子の機能に応じた起伏面とすることが好ましい。
Claim (excerpt):
レジスト層にリソグラフ法によりパターンを形成するパターン形成方法において、前記レジスト層に対し相対的にマスクを移動させて露光していくことによりレジストパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4):
G03F 9/00
, G02B 3/00
, G02B 5/18
, G03F 7/22
FI (4):
G03F 9/00 Z
, G02B 3/00 Z
, G02B 5/18
, G03F 7/22 Z
F-Term (7):
2H049AA33
, 2H049AA48
, 2H097AA11
, 2H097AA16
, 2H097BB01
, 2H097GB01
, 2H097LA15
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