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J-GLOBAL ID：200903061897515274

磁気記録媒体の製造方法

Inventor： 本田 和義 ,  前澤 可治
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992154652
Publication number (International publication number)：1993342575
Application date： Jun. 15, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は薄膜磁気記録媒体の製造方法に関するもので、特に、表面酸化層厚を低減することにより記録再生特性に優れた磁気記録媒体を提供することを目的とする。【構成】 真空中で長尺の支持基体を走行させながら前記基体上に直接あるいは下地層を介して反応蒸着法によって酸化物磁性層を形成する際に、蒸気流の基板法線に対する終期入射角φ<SB>f</SB>を制限する遮蔽板を配置し、キャンと遮蔽板の終期入射角部における間隙d(mm)と、終期入射角部における膜堆積速度R(nm/秒)と、酸素導入量S(SLM)および基板の搬送速度v(m/s)をd<1000v・cosφ<SB>f</SB>/(R・S)とするもの、および磁性層の形成時に酸素ガスを導入するとともに、不活性ガスまたは窒素ガスを導入し、かつ蒸着終端部分における不活性ガスまたは窒素ガスの、酸素ガスに対する比を導入ガス量比よりも大きくするものである。

Claim (excerpt)：

少なくとも酸素が導入されている真空中で、筒状キャンの周面に沿って長尺の支持基体を走行させながら前記基体上に直接あるいは下地層を介して反応蒸着法によって酸化物磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、前記磁性層を形成する蒸気流の前記基板法線に対する初期入射角φ<SB>f</SB>を制限する遮蔽板を配置し、かつ前記キャンと前記遮蔽板の終期入射角部における間隙d(mm)と、終期入射角部における膜堆積速度R(nm/秒)と、酸素導入量S(SLM)および前記基板の搬送速度v(m/s)がd<1000v・cosφ<SB>f</SB>/(R・S)を満足することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。