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J-GLOBAL ID：200903061903630528

窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード

Inventor： 山崎 史郎 ,  小出 典克 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  新技術事業団 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994106056
Publication number (International publication number)：1995297494
Application date： Apr. 20, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 レーザの発振しきい値電流を低下させること。【構成】活性層5をその禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する層4,6で挟んだダブルヘテロ接合構造の窒化ガリウム系化合物半導体((AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y≦1) から成るレーザダイオードにおいて、活性層5を、Siが添加されたn型伝導性を示す窒化ガリウム系化合物半導体((AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0 ≦y ≦1)で形成した。この結果、発光効率が向上したため、発振しきい値電流が低下した。

Claim (excerpt)：

活性層をその禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する層で挟んだダブルヘテロ接合構造の窒化ガリウム系化合物半導体((AlxGa1-x)yIn1-yN:0 ≦x≦1,0≦y≦1)から成るレーザダイオードにおいて、前記活性層を、Siが添加されたn型伝導性を示す窒化ガリウム系化合物半導体((AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y ≦1)で形成したことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00