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J-GLOBAL ID：200903061904362969

多層配線基板の製造方法

Inventor： 山野 和彦 ,  宮崎 信 ,  今川 俊次郎
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995047398
Publication number (International publication number)：1996250857
Application date： Mar. 07, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】有機高分子材料を層間絶縁膜とした多層配線基板の製造において、配線基板表面の凹凸を低減させた製造方法を提供する。【構成】(a)基板1上に有機高分子材料からなる絶縁膜2を形成した後、1層目の配線を形成する工程と、(b)基板上の配線部分以外に、この配線とほぼ等しい厚さの有機高分子材料からなる平坦化用絶縁膜10aを形成する工程と、(c)有機高分子材料からなる層間絶縁膜5を形成し、バイアホール6を形成する工程と、(d)下地導体膜3bを形成した後フォトレジスト層7を形成する工程と、(e)フォトレジスト層7を露光、現像して配線パターンを形成する工程と、(f)導体4bを形成して2層目の配線を形成する工程と、(g)フォトレジスト7、および導体4bの形成されていない下地導体膜3bを除去する工程とからなる。

Claim (excerpt)：

次の工程よりなる多層配線基板の製造方法。(a)基板上に有機高分子材料からなる絶縁膜を形成した後、該絶縁膜上に1層目の配線を形成する工程、(b)基板上の1層目の配線部分以外に、該配線とほぼ等しい厚さの有機高分子材料からなる平坦化用絶縁膜を形成する工程、(c)1層目の配線および平坦化用絶縁膜を形成した基板上に、有機高分子材料からなる層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜にバイアホールを形成する工程、(d)層間絶縁膜およびバイアホール部分に、下地導体膜を形成した後フォトレジスト層を形成する工程、(e)フォトマスクを用いてフォトレジスト層を露光、現像して配線パターンを形成する工程、(f)配線パターンに導体を形成して2層目の配線を形成する工程、(g)フォトレジスト、および導体の形成されていない下地導体膜を除去する工程。

FI (3)：

H05K 3/46 E ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 T