高誘電体物質を有するキャパシタの形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998346184
Publication number (International publication number)：1999243182
Application date： Dec. 04, 1998
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：

【要約】【課題】ストレージノード電極がBST塗布工程或いは後続のアニーリング工程中に酸化されることを防止するストレージキャパシタの形成方法を提供する。【解決手段】ノードを有する半導体基板上に形成されたコンタクトプラグ38上に反応阻止層42及び白金層44を順次形成し、反応阻止層42を湿式エッチングして白金下で互い横方向に対向している凹部分48を形成する工程と、その上と白金層下に、酸化阻止用側壁スペーサー52を形成する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

ノードを有する基板上にストレージセルキャパシタの形成方法にておいて、前記ノード上に反応阻止層を形成する工程と、前記反応阻止層上に白金層を形成する工程と、前記白金層及び前記反応阻止層を順序に乾式エッチングして、前記ストレージノード電極を形成する工程と、前記反応阻止層を湿式エッチングして反応阻止層の横方向のエッジを形成する工程と、前記反応阻止層を含んで前記白金層上に酸化阻止層を形成する工程と、前記酸化阻止層を乾式エッチングして前記反応阻止層の横方向のエッジ上と前記白金層の下に酸化阻止スペーサーを形成する工程とを含むことを特徴とするキャパシタの形成方法。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 621 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

薄膜キャパシタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-122636 Applicant：日本電気株式会社

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