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J-GLOBAL ID：200903061932038603

光電変換素子

Inventor： 小川 容一 ,  関口 隆史 ,  児島 克典
Applicant, Patent owner： 日立マクセル株式会社
Agent (1)： 梶山 佶是 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000364918
Publication number (International publication number)：2002170602
Application date： Nov. 30, 2000
Publication date： Jun. 14, 2002
Summary：

【要約】【課題】 低抵抗損失及び低透過損失を有し、高い光電変換を達成できる光電変換素子を提供する。【解決手段】 少なくとも、一方の基板の一方の面上に電極が被着され、該電極の表面に半導体層が被着され、他方の基板の一方の面上に対電極が被着され、前記半導体層が前記対電極と対峙するように配置され、更に、前記半導体層と前記対電極との間に電解質層が配設されている光電変換素子において、前記基板及び電解質層以外の光電変換素子構成要素のうちの少なくとも一部が斜め柱状構造を有し、該斜め柱状構造間に隙間が存在し、該隙間内に増感色素が担持されている。

Claim (excerpt)：

少なくとも、一方の基板の一方の面上に電極が被着され、該電極の表面に半導体層が被着され、他方の基板の一方の面上に対電極が被着され、前記半導体層が前記対電極と対峙するように配置され、更に、前記半導体層と前記対電極との間に電解質層が配設されている光電変換素子において、前記基板及び電解質層以外の光電変換素子構成要素のうちの少なくとも一部が斜め柱状構造を有し、該斜め柱状構造間に隙間が存在することを特徴とする光電変換素子。

IPC (2)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

F-Term (12)：

5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB05 ,  5H032BB10 ,  5H032CC06 ,  5H032CC11 ,  5H032CC16 ,  5H032EE15 ,  5H032EE16 ,  5H032HH00