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J-GLOBAL ID：200903061941060794

半導体装置の製造方法

Inventor： 岡 信介
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 小杉 佳男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991156672
Publication number (International publication number)：1993006939
Application date： Jun. 27, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】多層配線技術において段差の凹部にスルーホールを形成しても信頼性を損うことがなく、半導体装置の設計の自由度を向上させる。【構成】SOG膜等の第2の絶縁膜がスルーホールに露出した段階でプラズマガスに晒す。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に第1の配線層を形成し、該第1の配線層上に第1の絶縁膜を形成し、該第1の絶縁膜上に塗布法により第2の絶縁膜を形成し、該第2の絶縁膜上に第3の絶縁膜を形成し、これら第1、第2及び第3の絶縁膜に穴を形成して前記第1の配線層の表面の一部を露出させ、この半導体基板をプラズマガスに晒し、前記穴内に配線材が入り込むように第2の配線層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。