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J-GLOBAL ID：200903061948376193

硬質炭素被膜の形成方法、及び形成装置

Inventor： 堂本 洋一 ,  蔵本 慶一 ,  平野 均 ,  木山 精一
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996236801
Publication number (International publication number)：1997176858
Application date： Sep. 06, 1996
Publication date： Jul. 08, 1997
Summary：

【要約】【課題】 基板上に形成された硬質炭素被膜の膜質向上に際して、基板上に堆積する硬質炭素被膜の性質を制御することを必要としていた。更に、プラズマCVD法により硬質炭素被膜を形成する場合、基板以外、特にマイクロ波導入窓の内面側に、基板上に形成される硬質炭素被膜と同様な被膜が形成され、この汚れを取り除くために定期的なメンテナンス作業を必要としていた。【解決手段】 真空チャンバ内のプラズマ発生室(4)内にマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段(1)と、上記プラズマ発生室(4)内に酸素含有ガスを含む放電ガスを供給する放電ガス供給手段と、上記プラズマ発生室(4)の周囲に設けられ、上記プラズマ発生室内に電子サイクロトロン共鳴状態を形成する磁界発生手段(6)と、真空チャンバ内の反応室に設けられた基板を保持する基板ホルダ(12)と、上記反応室内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、を具備する。

Claim (excerpt)：

プラズマ発生室内に設置された基板上に硬質炭素被膜を形成する硬質炭素被膜の形成方法において、上記プラズマ発生室内に上記硬質炭素被膜の原料となる反応ガスと共に、酸素含有ガスを用いてプラズマを発生させ乍ら、上記基板上に硬質炭素被膜を形成することを特徴とする硬質炭素被膜の形成方法。

IPC (4)：

C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 16/50 ,  G11B 5/31

FI (4)：

C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 Z ,  C23C 16/50 ,  G11B 5/31 D