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J-GLOBAL ID：200903061949941889

プラズマ処理方法

Inventor： 藤村 修三 ,  竹内 達也 ,  宮永 毅 ,  中野 賀正 ,  的場 唯次
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991153493
Publication number (International publication number)：1993102092
Application date： Jun. 25, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明はプラズマ処理方法に関し、水素原子や水素イオン処理を高速化させる水素を用いたプラズマ処理方法を実現することを目的とする。【構成】 水素分子を主成分とする第1のガスと該第1のガスより少ない量の水素を含む第2のガスとをチャンバ(8)内に供給する第1のステップと、第1及び第2のガスからなる混合ガスのプラズマをチャンバ(8)内で発生することにより被加工物表面(1)にプラズマ処理を施す第2のステップとからなり、第2のガスは、水素及び酸素を含む有機化合物又は水素を含む無機化合物からなるように構成する。

Claim (excerpt)：

チャンバ内で被加工物表面にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、水素分子を主成分とする第1のガスと該第1のガスより少ない量の水素を含む第2のガスとをチャンバ内に供給する第1のステップと、該第1及び第2のガスからなる混合ガスのプラズマをチャンバ内で発生することにより被加工物表面にプラズマ処理を施す第2のステップとからなり、該第2のガスは水素及び酸素を含む有機化合物又は水素を含む無機化合物からなることを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/302 ,  B01J 19/08 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46