Pat

J-GLOBAL ID：200903061950139425

ドライエッチング方法

Inventor： 竹田 秀則 ,  田中 靖夫
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 石原 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992149146
Publication number (International publication number)：1993343365
Application date： Jun. 09, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】 エッチング反応を妨げる反応生成物を生成させないプラズマを用いてITOを高速でエッチングする。【構成】 エッチングガスとして臭化水素を含むガスを用いることにより、プラズマ中に発生した活性状態の水素によりITOを還元し、還元されたInとSnを活性状態の臭素と反応させて臭化物としてガス化させることにより、アルコールやカルボン酸を用いた場合のようにエッチング反応を著しく阻害する反応生成物を生成することなくエッチングし、ITOを高速でエッチングする。

Claim (excerpt)：

反応室内にITOを含む被エッチング物を配置し、その反応室内にエッチングガスを導入するとともに高周波電力を印加することによりプラズマを発生させ、反応室内の被エッチング物のITOをエッチングするドライエッチング方法において、エッチングガスとして臭化水素を含むガスを用いることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-259184
  
• 特開平2-158129
  
• 特開昭62-055896
  
• 特開昭56-070636