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J-GLOBAL ID:200903061967743741
透明導電膜形成用ITO焼結体とその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大場 充
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995305088
Publication number (International publication number):1997124364
Application date: Oct. 30, 1995
Publication date: May. 13, 1997
Summary:
【要約】【課題】 本発明は、透明導電膜を成膜する際に、電気伝導性および透明性を損なうことのない高密度インジウム酸化物系焼結体を提供することを目的とする。【解決手段】 インジウムおよび酸素、またはインジウム、スズおよび酸素からなるインジウム酸化物系焼結体において、カーボン含有量が0.0005〜0.5wt%であり、相対密度95.0%以上であるインジウム酸化物系焼結体。
Claim (excerpt):
実質的にIn,SnおよびOからなり、主相および第2相を有するITO焼結体において、第2相の面積が200μm2以下であることを特徴とする透明導電膜形成用ITO焼結体。
IPC (4):
C04B 35/457
, C04B 35/495
, C23C 14/34
, H01B 13/00 503
FI (4):
C04B 35/00 R
, C23C 14/34 A
, H01B 13/00 503 B
, C04B 35/00 J
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