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J-GLOBAL ID：200903061975016301
電界発光素子およびその製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
千葉 剛宏 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997116158
Publication number (International publication number)：1998092576
Application date： Apr. 18, 1990
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：
【要約】【課題】信頼性に富み、広面積化が可能な、しかも低消費電力で廉価に製造できる電界発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板1の上面に第1の電荷注入接触層2が形成される。この第1の電荷注入接触層2はアルミニウムを熱蒸着したものである。この第1の電荷注入接触層2の表面に酸化物層3が形成される。さらに、前記酸化物層3の表面にPPV膜4を100から300μmの厚さに形成する。次に、前記PPV膜4上に第2の電荷注入接触層5を設ける。
Claim (excerpt)：
少なくとも一種の共役ポリマーからなる薄い緻密なポリマー膜の形状の半導体層、半導体層の第1の表面と接する第1の接触層および半導体層の第2の表面と接する第2の接触層とからなる電界発光素子であって、半導体層のポリマー膜は、第2の接触層を第1の接触層に対して正にするように半導体層を介して第1および第2の接触層間に電界をかけると、電荷キャリヤが半導体層に注入されて、半導体層から発光がなされるように十分に低い濃度の外部電荷キャリヤを有していることを特徴とする電界発光素子。
IPC (8)：
H05B 33/14
, C08G 61/02
, C08L 65/00
, C09K 11/06
, H01L 33/00
, H05B 33/10
, H05B 33/22
, H05B 33/26
H05B 33/14
, C08G 61/02
, C08L 65/00
, C09K 11/06 Z
, H01L 33/00 A
, H05B 33/10
, H05B 33/22
, H05B 33/26
Cited by examiner (5)
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