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J-GLOBAL ID：200903061985015036

結晶成長装置及び結晶成長方法

Inventor： 小川 正裕 ,  的場 祥行 ,  山本 俊行 ,  柏原 義之
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993257962
Publication number (International publication number)：1995109195
Application date： Oct. 15, 1993
Publication date： Apr. 25, 1995
Summary：

【要約】【構成】 坩堝13の上方に、引き上げ軸16に沿って少なくとも3個以上の加熱手段21、22、24及び/または冷却手段23が配設されていることを特徴とする結晶成長装置。【効果】 Si単結晶17を引き上げる際、加熱や冷却に要するパワーP1、P2、P3、P4の付加パターンをそれぞれ予め設定しておくことにより、4段階の温度範囲においてそれぞれ所定の冷却速度でSi単結晶17を冷却することができる。したがってSi単結晶17の品質を改善することができ、得られたウエハに関してOSF密度の減少、熱処理後のウエハ内部における析出酸素量の増加及び酸化膜耐圧の向上を図ることができる。

Claim (excerpt)：

結晶用原料が充填される坩堝を備え、該坩堝の周囲にヒータが配設され、前記坩堝の上方に引き上げ軸が配設された結晶成長装置において、前記坩堝の上方に、前記引き上げ軸に沿って少なくとも3個以上の加熱手段及び/または冷却手段が配設されていることを特徴とする結晶成長装置。

IPC (3)：

C30B 15/14 ,  C30B 15/00 ,  H01L 21/208