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J-GLOBAL ID：200903062008228389

アクティブマトリクス基板、該基板のコンタクトホール形成方法および該基板を用いた液晶表示装置

Inventor： 裏 匡史 ,  ▲たか▼鍋 昌一 ,  中村 伸宏 ,  遠藤 幸雄 ,  伊藤 攻
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社 ,  株式会社アドバンスト・ディスプレイ
Agent (1)： 朝日奈 宗太 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998128011
Publication number (International publication number)：1999045879
Application date： May. 12, 1998
Publication date： Feb. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 低いコンタクト抵抗をうることのできるアクティブマトリクス基板、該基板のコンタクトホール形成方法および該基板を用いた液晶表示装置を提供する。【解決手段】 本発明のコンタクトホール形成方法は、(1)第1の電極および第1の電極の表面の部分以外の基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、(2)ドライエッチングにより該絶縁膜をパターニングしてコンタクトホールを形成する工程と、(3)第2の電極を形成して該第2の電極と前記第1の電極とのコンタクトをとる工程とからなり、前記(2)の工程において、ドライエッチングによりコンタクトホールを形成した後、処理圧Pが100Pa〜400Paの範囲の条件下でプラズマエッチングモードもしくはRIEモードでの酸素ガスによる表面処理を行なう。

Claim (excerpt)：

(1)基板上に設けた第1の電極および該基板を覆って絶縁膜を成膜する工程と、(2)該絶縁膜をドライエッチングしてパターニングしてコンタクトホールを形成する工程と、(3)第2の電極を形成して該第2の電極と前記第1の電極とのコンタクトをとる工程とからなるアクティブマトリクス基板のコンタクトホール形成方法であって、前記(2)の工程において、第1のドライエッチングガスが4フッ化炭素ガスと酸素ガスとの混合ガスであり、かつ、該酸素ガスの流量が4フッ化炭素ガスの流量よりも多いエッチング条件で前記絶縁膜をドライエッチングしてパターニングしてコンタクトホールを形成するアクティブマトリクス基板のコンタクトホール形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6)：

H01L 21/302 F ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/88 D ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 617 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-161429
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-012096   Applicant：シャープ株式会社