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J-GLOBAL ID：200903062012992794

情報記録媒体、情報記録再生方式及び情報記録再生装置

Inventor：
松本 幸治

About 松本 幸治

, 
尾崎 一幸

About 尾崎 一幸

, 
田河 育也

About 田河 育也


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999264370
Publication number (International publication number)：2001084546
Application date： Sep. 17, 1999
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】 希土類遷移金属を主成分とするアモルファス合金薄膜を使用した情報記録媒体を提供することを課題とする。【解決手段】 基板上に、垂直磁気異方性を示す希土類遷移金属を主成分とするアモルファス合金薄膜からなる第1磁性層と第2磁性層の積層膜を両層のどちらかが下層になるように少なくとも有し、Hc2>Hc1の関係(Hc1は第1磁性層の保磁力、Hc2は第2磁性層の保磁力)、Tc2>Tc1の関係(Tc1は第1磁性層のキュリー温度、Tc2は第2磁性層のキュリー温度)又はその両方の関係を有し、室温及び零磁界における積層膜の残留磁化が50emu/ccより大きく、磁界を印加しない場合に第1磁性層と第2磁性層の間に界面磁壁が実質的に形成されず、積層膜の磁束を検出することによって情報が再生されることを特徴とする情報記録媒体により上記課題を解決する。
Claim (excerpt)：
垂直磁気異方性を示す希土類遷移金属を主成分とするアモルファス合金薄膜からなる第1磁性層と第2磁性層の積層膜を少なくとも有し、Hc2>Hc1の関係(Hc1は第1磁性層の保磁力、Hc2は第2磁性層の保磁力)、又はTc2>Tc1の関係(Tc1は第1磁性層のキュリー温度、Tc2は第2磁性層のキュリー温度)又はその両方の関係を有し、室温及び零磁界における積層膜の残留磁化が50emu/ccより大きく、磁界を印加しない場合に第1磁性層と第2磁性層の間に界面磁壁が実質的に形成されず、積層膜の磁束を検出することによって情報が再生されることを特徴とする情報記録媒体。
IPC (3)：
G11B 5/66 ,  G11B 5/64 ,  G11B 5/02
FI (3)：
G11B 5/66 ,  G11B 5/64 ,  G11B 5/02 S
F-Term (11)：
5D006BB01 ,  5D006BB07 ,  5D006BB08 ,  5D006DA03 ,  5D006EA03 ,  5D006FA09 ,  5D091AA10 ,  5D091BB06 ,  5D091CC11 ,  5D091DD03 ,  5D091HH20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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