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J-GLOBAL ID：200903062018159547

リチウムドープα-二酸化マンガンの製造法

Inventor： 大井 健太 ,  馮 旗 ,  加納 博文 ,  宮井 良孝 ,  中長 偉文 ,  谷 真佐人
Applicant, Patent owner： 工業技術院長 ,  大塚化学株式会社
Agent (2)： 田村 巌 (外1名) ,  田村 巌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996083262
Publication number (International publication number)：1996239222
Application date： Jun. 08, 1993
Publication date： Sep. 17, 1996
Summary：

【要約】【課題】 カリウムやアンモニウムイオンなどの電池性能に悪影響を与えるカチオンを含まないリチウムドープα-二酸化マンガンを製造することができ、且つ大掛かりな装置、設備などを必要としない工業的に有利な製造法を提供する。【解決手段】 濃度が4モル以上になるように無機酸を反応系に添加する酸性条件下に、マンガンの無機酸塩と過マンガン酸リチウム、過マンガン酸ナトリウム及び過マンガン酸マグネシウムから選ばれる少なくとも1種の過マンガン酸塩を反応させて得られるα-二酸化マンガンのプロトンをリチウムにイオン交換することを特徴とするリチウムドープα-二酸化マンガンの製造法。

Claim (excerpt)：

濃度が4モル以上になるように無機酸を反応系に添加する酸性条件下に、マンガンの無機酸塩と過マンガン酸リチウム、過マンガン酸ナトリウム及び過マンガン酸マグネシウムから選ばれる少なくとも1種の過マンガン酸塩を反応させて得られるα-二酸化マンガンのプロトンをリチウムにイオン交換することを特徴とするリチウムドープα-二酸化マンガンの製造法。

IPC (2)：

C01G 45/00 ,  H01M 4/50

FI (2)：

C01G 45/00 ,  H01M 4/50