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J-GLOBAL ID：200903062034264482

半導体レーザを有する光学素子

Inventor： 成井 啓修 ,  土居 正人 ,  佐原 健志
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993333573
Publication number (International publication number)：1995193334
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザ、反射鏡、フォトダイオード等の光学部品相互の位置関係の設定を正確に行うことができるようにするとともに、反射効率の高い反射鏡を再現性良く、正確に形成でき、更に製造の簡易化、量産性の向上、信頼性の向上をはかるものである。【構成】 {100}結晶面を主面とする化合物半導体基板1に、〔01-1〕結晶軸方向に沿って形成された溝2を挟んで第1および第2のメサ11および12が形成され、溝2の少なくとも上記第1のメサ11に隣接する一側面2aが逆メサ状に形成され、第1および第2のメサ11および12上にエピタキシャル半導体層3が形成されて第1のメサ11上に半導体レーザLDが形成され、第2のメサ12上に溝2に隣接する側縁に沿って半導体レーザLDの光出射端面に対向する特定の結晶面からなる反射鏡4が形成された構成とする。

Claim (excerpt)：

{100}結晶面を主面とする化合物半導体基板に、〔01-1〕結晶軸方向に沿って形成された溝を挟んで少なくとも第1および第2のメサが形成され、上記溝の少なくとも上記第1のメサに隣接する一側面が逆メサ状に形成され、上記第1および第2のメサ上にエピタキシャル半導体層が形成されて上記第1のメサ上に半導体レーザが形成され、上記第2のメサ上に上記溝に隣接する側縁に沿って上記半導体レーザの光出射端面に対向する特定の結晶面からなる反射鏡が形成されたことを特徴とする半導体レーザを有する光学素子。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  G11B 7/13 ,  H01L 31/12