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J-GLOBAL ID：200903062038975308

プラズマエッチング装置用シリコン電極装置

Inventor： 白井 龍夫 ,  畑 博士
Applicant, Patent owner： 住友シチックス株式会社
Agent (1)： 森 正澄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995074006
Publication number (International publication number)：1996274069
Application date： Mar. 30, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】 応力集中による割れを回避してシリコン電極の寿命を長くし、加工ダメージ及びコンタミネーションの除去がなされ得るプラズマエッチング装置用シリコン電極装置を提供すること。【構成】 シリコン電極体と、このシリコン電極体を基台に固定する支持部材を備えたプラズマエッチング装置用のシリコン電極装置において、シリコン電極体1は、複数の細孔3を穿設したガス孔円板であって、外周部11が円錐形状に形成され、支持部材15は、シリコン製であって、内周部16がシリコン電極体1の外周部11に嵌合する形状に形成される。更に、ガス孔板を10μm〜100μmの範囲でエッチングして、細孔3,3の端縁の稜部2の角2aが除去されているプラズマエッチング装置用シリコン電極装置である。

Claim (excerpt)：

プラズマエッチング用ガスが流通する複数の細孔を備えたシリコン電極体と、このシリコン電極体を基台に固定する支持部材を備えたプラズマエッチング装置用のシリコン電極装置において、前記シリコン電極体は、前記複数の細孔を穿設したガス孔円板であって、外周部が円錐形状に形成され、前記支持部材は、内周部が前記シリコン電極体の外周部に嵌合する形状に形成されていることを特徴とするプラズマエッチング装置用シリコン電極装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 1/24 ,  C23F 4/00

FI (3)：

H01L 21/302 C ,  C23F 1/24 ,  C23F 4/00 Z