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J-GLOBAL ID：200903062042584135

IIIb-Vb族化合物の合成法

Inventor： 梶原 和久 ,  八子 忠明
Applicant, Patent owner： 住友化学工業株式会社
Agent (1)： 久保山 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994094147
Publication number (International publication number)：1995300398
Application date： May. 06, 1994
Publication date： Nov. 14, 1995
Summary：

【要約】【構成】 Vb族の窒素原料として、次の一般式R1 R2 NNR3 R4 (式中、R1 、R2 、R3 及びR4 はそれぞれ炭素数1〜2からなるアルキル基または水素を示す)で示されるヒドラジン類と、 IIIb族原料として、次の一般式R5 R6 MNR7 R8 またはR9 R10MN3 (式中、R5 、R6 、R7 、R8 、R9 及びR10はそれぞれ炭素数1〜2からなるアルキル基または水素、Mはアルミニウム、ガリウム、インジウムを示す)で示される金属アミドおよび/または金属アジドを用いることを特徴とする IIIb-Vb族化合物の合成法。【効果】 青色LEDやレーザー等の他、各種半導体として幅広く使用できる結晶性に優れた IIIb-Vb族化合物を得ることが可能である。

Claim (excerpt)：

Vb族の窒素原料として、次の一般式R1 R2 NNR3 R4 (式中、R1 、R2 、R3 及びR4 はそれぞれ炭素数1〜2からなるアルキル基または水素を示す)で示されるヒドラジン類と、 IIIb族原料として、次の一般式R5 R6 MNR7 R8 またはR9 R10MN3 (式中、R5 、R6 、R7 、R8 、R9 及びR10はそれぞれ炭素数1〜2からなるアルキル基または水素、Mはアルミニウム、ガリウム、インジウムを示す)で示される金属アミドおよび/または金属アジドを用いることを特徴とする IIIb-Vb族化合物の合成法。

IPC (3)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/205