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J-GLOBAL ID：200903062054255048

SiC製電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor： ローゼ,ヴェルナー ,  コレク,ヤーツェク ,  ニーマン,エッケハルト ,  ボース,アルフレート
Applicant, Patent owner： ダイムラー-ベンツ アクチエンゲゼルシャフト
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996503657
Publication number (International publication number)：1997504656
Application date： Jun. 27, 1995
Publication date： May. 06, 1997
Summary：

【要約】ソース、ゲート、及びドレインコンタクトを有するSiCからなる電界効果トランジスタにおいて、ソースコンタクトは、半導体プレートの表面に設けられ、ドレインコンタクトは、前記半導体板の下側に設けられ、ゲートコンタクトは、溝状構造に設けられており、該溝状構造は、電界効果トランジスタのソース電極を環状に囲み、前記ゲートコンタクトは、溝の底の上で一緒に結合されている。

Claim (excerpt)：

ソース、ゲート、及びドレインコンタクトを有するSiCからなる電界効果トランジスタにおいて、ソースコンタクト(1)は、半導体プレートの表面に設けられ、ドレインコンタクトは、前記半導体板の下側に設けられ、ゲートコンタクト(4)は、溝状構造に設けられており、該溝状構造は、電界効果トランジスタのソース電極を環状に囲み、前記ゲートコンタクト(4)は、溝の底の上で一緒に結合されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 29/80 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/78

FI (6)：

H01L 29/80 V ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 658 G ,  H01L 29/44 C ,  H01L 21/265 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-196873
  
• 特開昭54-011685
  
• 特開昭53-147469