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J-GLOBAL ID：200903062058063828

半導体装置

Inventor： 当山 勝利 ,  坂本 孝一
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994030890
Publication number (International publication number)：1995221328
Application date： Feb. 01, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【構成】 n+層1の上にn-層2をエピタキシャル成長させ、n-層2の上面にショットキー電極3を設け、n+層1の下面にオーミック電極4を設けたショットキーバリアダイオードにおいて、キャリア濃度の異なる低キャリア濃度層2aと高キャリア濃度層2bを交互に複数層積層してn-層2を構成する。【効果】 逆バイアス時の耐圧が同等な従来のショットキーバリアダイオードと比較してより大きな順方向電流を流すことができる。

Claim (excerpt)：

第1の半導体層の上方に第2の半導体層を形成し、第2の半導体層の上面にショットキー電極を設け、第1の半導体層の下面にオーミック電極を設けたショットキーバリア型の半導体装置において、前記第2の半導体層をキャリア濃度の異なる2種類の半導体層を交互に積層することによって構成したことを特徴とする半導体装置。