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J-GLOBAL ID：200903062064892194

高解像性レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法

Inventor： 並木 崇久 ,  矢野 映 ,  渡部 慶二 ,  五十嵐 美和
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 朗 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992282987
Publication number (International publication number)：1994130668
Application date： Oct. 21, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 レジスト組成物に関し、次世代超LSIの製造で必要となる微細パターンを形成するのに使用することができる実用的な高解像力ポジ型レジスト組成物の提供を目的とする。【構成】 本発明のレジスト組成物は、アルカリ可溶性基材樹脂と、電離放射線の照射によってアルカリ性化合物を発生するアルカリ発生剤とを含んでなる。

Claim (excerpt)：

アルカリ可溶性の基材樹脂と、電離放射線の照射によってアルカリ性化合物を発生するアルカリ発生剤とを含んでなることを特徴とするレジスト組成物。

IPC (5)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/027