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J-GLOBAL ID：200903062079110273

半導体レーザ装置およびその製造方法

Inventor： 須山 尚宏 ,  松本 晃広 ,  大林 健
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993033130
Publication number (International publication number)：1994252497
Application date： Feb. 23, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：

【要約】【目的】 発振閾値電流を低減できる半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。【構成】 まず、第2クラッド層5を低ドープとすることによって、高抵抗化する。次に、電流阻止層6の欠損部10に対向する領域13では、第3クラッド層7から第2クラッド層6に不純物の拡散を行う。この拡散によって、欠損部対向領域13の第2クラッド層5を低抵抗化する。これによって、第2クラッド層5内の非欠損部対向領域への電流拡がりを抑え、無効電流を抑えて、低閾値電流動作を実現する。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板上に、少なくとも、第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、第2導電型の第2クラッド層とが積層され、上記第2クラッド層上に、ストライプ状かつ溝状の欠損部を有する第1導電型の電流阻止層が積層され、上記ストライプ状の欠損部を含む上記電流阻止層上に少なくとも第2導電型の第3クラッド層が形成された半導体レーザ装置であって、上記第2クラッド層は、上記電流阻止層の欠損部に対向する高濃度部と、上記電流阻止層の非欠損部に対向し、かつ、上記高濃度部よりも不純物濃度が低い低濃度部とを有していることを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-192287
  
• 特開平2-194684
  
• 特開平2-194681
  
• 特開平1-138775