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J-GLOBAL ID：200903062079795314
レーザダイオード
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993031694
Publication number (International publication number)：1994244498
Application date： Feb. 22, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】 レ-ザダイオ-ドの光導波路層の屈折率を層幅が漸次変化する超格子を用いて連続的に変化させることにより、低閾値の青色域レーザダイオードを提供する。【構成】 n型GaAs基板1上に、塩素添加n型ZnS0.07Se0.93光閉じ込め層2、塩素添加n型ZnSe-ZnS0.07Se0.93層幅漸次変化超格子光導波路層3、Zn0.8 Cd0.2 Se活性層4、窒素添加p型ZnSe-ZnS0.07Se0.93層幅漸次変化超格子光導波路層5、窒素添加p型ZnS0.07Se0.93光閉じ込め層6を有する。光閉じ込め層6上にAu電極7を、GaAs基板1の裏面にIn電極8を有し、端面にへき開面ミラーによる光共振器を持つ。
Claim (excerpt)：
GaAs基板とZnSX Se1-X (ただしXは0.06以上0.09以下の範囲を示す)光閉じ込め層と光導波路層とZn1ーY CdY Se(ただしYは0.1以上0.3以下の範囲を示す)活性層を少なくとも備えたレ-ザダイオ-ドであって、前記光導波路層がZnSe-ZnSQ Se1-Q (ただしQは0.06以上0.09以下の範囲を示す)層幅漸次変化超格子層であることを特徴とするレーザダイオード。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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