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J-GLOBAL ID：200903062086846404

炭化珪素単結晶の製造方法

Inventor： 谷 俊彦 ,  杉山 尚宏 ,  岡本 篤人 ,  神谷 信雄 ,  木藤 泰男
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 洋二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998214497
Publication number (International publication number)：2000044395
Application date： Jul. 29, 1998
Publication date： Feb. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】 炭化珪素単結晶の成長面全体においてマイクロパイプ欠陥の継承を防止できるようにする。【解決手段】 種結晶4の主面が炭化珪素原料ガスの流れる方向に対して略平行となるように配置する。そして、蓋体2を回動させることによって、種結晶4の主面の中心を軸として、炭化珪素原料ガスの流れる方向を角度変化させる。このような条件で炭化珪素単結晶6を成長させる。これにより、種結晶4のうち炭化珪素原料ガスの下流側に位置していた領域も該角度変化によって炭化珪素原料ガスの上流側に移動させられるため、上流側に位置している際にマイクロパイプ欠陥5の継承を停止させることができる。これにより、炭化珪素単結晶6の成長面の全体においてマイクロパイプ欠陥5の継承を停止させることができ、炭化珪素単結晶6の成長面全体においてマイクロパイプ欠陥5の継承を防止できる。

Claim (excerpt)：

炭化珪素からなり、主面を有する種結晶上に炭化珪素原料ガスを供給することにより、該種結晶の主面上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、前記種結晶の主面が前記炭化珪素原料ガスの流れる方向に対して略平行となるように配置すると共に、前記種結晶の主面の法線を軸として、前記炭化珪素原料ガスの流れる方向が角度変化するようにして、前記炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00

FI (2)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/00

F-Term (8)：

4G051AA04 ,  4G051AA11 ,  4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EG14 ,  4G077EH06