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J-GLOBAL ID：200903062092079121

プラズマ処理装置

Inventor： 秋元 健司
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997023835
Publication number (International publication number)：1998223397
Application date： Feb. 06, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 真空容器の内部に誘電体部品の位置から高周波電力を導入してプラズマ処理を実行する場合に、誘電体部品の温度変化によるプラズマ処理の特性の劣化を防止する。【解決手段】 誘電体部品3の外面の全域と接触する位置に液体保持容器22で絶縁生の液体27を保持し、この液体27を温度調整手段26で温度制御することにより、誘電体部品3の全体を良好に温度制御する。

Claim (excerpt)：

被処理体が内部に配置される真空容器の少なくとも一部を誘電体部品により形成して高周波放出機構を連結し、該高周波放出機構が放出する高周波電力を前記誘電体部品から前記真空容器の内部に導入し、該真空容器の内部にプラズマを発生させて前記被処理体を処理するプラズマ処理装置において、前記誘電体部品の外面の全域に温度制御された絶縁性の液体が接触していることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (3)：

H05H 1/46 B ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/302 B