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J-GLOBAL ID：200903062096398230
樹脂封止型半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998042242
Publication number (International publication number)：1999243166
Application date： Feb. 24, 1998
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：
【要約】【課題】半導体チップをマウントしたリードフレームとヒートシンクとの間の放熱経路の熱抵抗を低く抑えつつ、一方では両者間に高い絶縁耐力が確保できるように改良して高信頼性の樹脂封止型半導体装置を得る。【解決手段】半導体チップ1と、半導体チップをマウントしたリードフレーム2と、該リードフレームのダイパッド部2aの裏面側に狭隘な絶縁間隔を隔てて対向配置したヒートシンク3とからなり、これら各部材を一体に成形樹脂4で封止した樹脂封止型半導体装置において、リードフレームのダイパッド部,ヒートシンクの少なくとも一方の部材,例えばヒートシンクにダイパッド部に向けて膨出する凸部3aを形成するとともに、該凸部の端面,および周面を絶縁樹脂層7で覆い、このヒートシンクの上にリードフレームを重ね合わせた状態でその周域を成形樹脂で一体に封止する。
Claim (excerpt)：
半導体チップと、半導体チップをマウントしたリードフレームと、該リードフレームのダイパッド部の裏面側に狭隘な絶縁間隔を隔てて対向配置したヒートシンクとからなり、これら各部材を一体に成形樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置において、リードフレームのダイパッド部,ヒートシンクの少なくとも一方の部材に、対向部材に向けて膨出する凸部を形成するとともに、該凸部の端面,および周面を絶縁樹脂層で覆い、ヒートシンクの上にリードフレームを重ね合わせた状態でその周域を成形樹脂により封止したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 23/36 D
, H01L 23/28 B
