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J-GLOBAL ID：200903062097494356

光吸収層の作製方法

Inventor： 武内 伸介 ,  久米 智之 ,  小丸 貴史
Applicant, Patent owner： 本田技研工業株式会社
Agent (1)： 鳥井 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002107181
Publication number (International publication number)：2003258282
Application date： Mar. 05, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【目的】 Cu-Ga合金層およびIn層からなる積層プリカーサを形成するに際して、エネルギー変換効率の良い光吸収層を作製するべく、組成が密なIn層をスパッタリングによって容易に形成できるようにする。【構成】 化合物半導体による薄膜太陽電池における裏面電極上にCu-Ga合金層およびIn層からなる積層プリカーサを形成して、Se雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を作製する方法にあって、酸素を添加したスパッタガスの雰囲気下でIn層を形成するようにする。

Claim (excerpt)：

化合物半導体による薄膜太陽電池における裏面電極上にCu-Ga合金層およびIn層からなる積層プリカーサをスパッタ法により形成して、Se雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を作製する方法において、酸素を添加したスパッタガスの雰囲気下でIn層を形成するようにしたことを特徴とする光吸収層の作製方法。

F-Term (6)：

5F051AA10 ,  5F051CB15 ,  5F051CB24 ,  5F051CB29 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03