Pat

J-GLOBAL ID：200903062099558530

半導体装置及びその試験方法

Inventor： 前田 敏夫 ,  大石 貫時
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立デバイスエンジニアリング株式会社
Agent (1)： 徳若 光政
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993308709
Publication number (International publication number)：1995140207
Application date： Nov. 15, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 低い周波数の試験装置を用いてその使用可能な最大周波数における動作試験を効率良く実施しうる装置を実現する。【構成】 供給される試験クロック信号TCLKをもとに2倍の周波数の内部クロック信号ICLKを形成する内部クロック発生回路を設けるとともに、データ入出力端子D0を介して入力される試験データTDをもとに所定パターンの試験データTD0〜TD7を形成する試験データ生成回路と、試験動作時にその試験データを選択する入力データ選択回路と、所定数のアドレスから出力される読み出しデータMAO0〜MAO7と試験データとを順次比較照合する試験データ照合回路と、その出力信号DMを試験出力データとしてデータ入出力端子D0から出力する出力データ選択回路とを含む試験論理回路を設ける。

Claim (excerpt)：

試験装置から供給される試験クロック信号をもとにその所定数倍の周波数の内部クロック信号を形成する内部クロック発生回路を具備し、比較的低い周波数の上記試験クロック信号に従ってその使用可能な最大周波数又はその近傍における動作試験を実施しうることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

G01R 31/28 ,  G11C 11/407 ,  G11C 29/00 303 ,  H01L 21/66

FI (2)：

G01R 31/28 V ,  G11C 11/34 354 C