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J-GLOBAL ID：200903062100108063

半導体装置

Inventor： ジョニー キン オン シン
Applicant, Patent owner： エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992208104
Publication number (International publication number)：1993206159
Application date： Aug. 04, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 オン抵抗が低く、スイッチング特性が早く、ブレークダウン電圧が高く、しかも、ラッチアップに対する抵抗性を改善し構成が簡単且つ簡潔でSOI技術で製造し得るIGBT装置を提供する。【構成】 離間され、表面に隣接する横方向に配向された第1および第2装置領域を具え、チャネル領域22によりこの第2装置領域を少なくとも部分的に囲み、ゲート領域20により第2装置領域24およびチャネル領域22に隣接するもこれから絶縁して設ける。ゲート領域20は第2装置領域24および絶縁チャネル領域22に隣接してほぼ垂直方向に延在させて作動中絶縁チャネル領域22にほぼ垂直な導電チャネルを誘起させる。このゲート領域20はトランジスタ装置を囲むトレンチ16に設け、その側壁及び底部にトレンチ状ゲート誘電体層18を設けて装置の残部からゲートを絶縁する。装置は半導体基板に、又は介在絶縁層に直接設けることのできるエピタキシヤル表面層14に形成する。

Claim (excerpt)：

離間され、表面に隣接する第1および第2装置領域と、前記第2装置領域を少なくとも部分的に囲む表面隣接チャネル領域と、前記第2装置領域および前記チャネル領域に隣接するもこれから絶縁されたゲート領域と、作動中絶縁チャネル領域にほぼ垂直な導電チャネルを誘起する手段とを具え、この手段に前記第2装置領域および絶縁チャネル領域に隣接してほぼ垂直方向に延在する前記ゲート領域を設けるようにしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/78 321 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平2-254757